型号:

IXKP10N60C5M

RoHS:无铅 / 符合
制造商:IXYS描述:MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IXKP10N60C5M PDF
标准包装 50
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 385 毫欧 @ 5.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.5V @ 340µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 790pF @ 100V
功率 - 最大 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装 TO-220ABFP
包装 管件
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